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硅基高速納秒光開(kāi)關(guān)器件及模塊

簡(jiǎn)要描述：硅基高速納秒光開(kāi)關(guān)器件及模塊
無(wú)移動(dòng)組件；
切換速度快；
極其穩(wěn)定的鎖存模式；
低功耗；
好的穩(wěn)定性和可靠性。
二、應(yīng)用
高速保護(hù)；
系統(tǒng)監(jiān)控；
?測(cè)試測(cè)量。

產(chǎn)品型號(hào)：ZG
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間：2024-12-25
訪問(wèn) 量：1212

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光開(kāi)關(guān)系列

光開(kāi)關(guān)矩陣 mems光開(kāi)關(guān)器件硅基高速納秒光開(kāi)關(guān)模塊硅基光開(kāi)關(guān)陣列電光納秒光開(kāi)關(guān) MEMS光開(kāi)關(guān)陣列機(jī)械式光開(kāi)關(guān)模塊機(jī)械式光開(kāi)關(guān)1x2,2x2 臺(tái)式光開(kāi)關(guān) MEMS光開(kāi)關(guān)1XN 1x4 1x8雙向磁光開(kāi)關(guān) 1x2 2x2 磁光開(kāi)關(guān)

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詳細(xì)介紹

品牌	梓冠	價(jià)格區(qū)間	面議
組件類別	光學(xué)元件	應(yīng)用領(lǐng)域	化工,能源,電子/電池,電氣,綜合
波長(zhǎng)	1525~1565nm	封裝形式	器件

硅基高速納秒光開(kāi)關(guān)器件及模塊

無(wú)移動(dòng)組件；

切換速度快；

極其穩(wěn)定的鎖存模式；

低功耗；

好的穩(wěn)定性和可靠性。

二、應(yīng)用

高速保護(hù)；

系統(tǒng)監(jiān)控；

測(cè)試測(cè)量。

三、硅基高速2×2納秒光開(kāi)關(guān)器件及模塊規(guī)格參數(shù)

參數(shù)	單位	范圍
波長(zhǎng)范圍	nm	1540~1560
插入損耗	dB	直通損耗：1.8~2；交叉損耗：1.8~2；
偏振相關(guān)損耗	dB	0.3~0.5
開(kāi)關(guān)時(shí)間	ns	200~350
回波損耗	dB	40~50
串?dāng)_	dB	-20~-17
供電電壓	v	5
供電電流	mA	環(huán)境溫度≥25℃，100mA；環(huán)境溫度≤25℃，900mA
控制信號(hào)（TTL3.3V信號(hào)）		高電平2V≤VIH≤5V；低電平0V≤VIL≤0.8V；
光接口		FC/APC
尾纖		以松纖方式引出，帶松套管，長(zhǎng)度1m
工作溫度	℃	-25℃~45℃
貯存溫度（℃）	℃	-55℃~85℃

要求：對(duì)于任意型號(hào)2×2光開(kāi)關(guān)，輸入和輸出編號(hào)相同時(shí)候?yàn)橹蓖▊鬏敚煌瑸榻徊鎮(zhèn)鬏敗?/span>

尺寸項(xiàng)目	尺寸值（mm）
L：長(zhǎng)（mm）	90±0.3
W：寬（mm）	50±0.3
H：高（mm）	13.5±0.2
安裝孔間距（mm）	84.5±0.15
安裝孔間距（mm）	44.5±0.15
固定孔（4個(gè)）