當前位置：首頁 > 產品中心 > 光衰減器系列 > 高速光衰減器 > ZG-VOA-NS高速納秒光衰減器VOA

高速納秒光衰減器VOA

簡要描述：高速納秒光衰減器VOA
簡介
具備支持暗光（Dark）型能力，功耗更低、切換速度更快等特性。硅基VOA陣列器件內部為全固態芯片，具有百納秒級的響應速度，八通道單片集成，功耗低，滿足光傳輸、光傳感系統對光衰減器高速響應、小型化、高可靠的需求。其響應速度比傳統VOA提升4個數量級，達到100ns級，使WDM光網絡中光功率快速控制成為可能。此外，其超低的光損耗可滿足民用光網絡應用要求，集成度有助于大

產品型號：ZG-VOA-NS
廠商性質：生產廠家
更新時間：2024-12-29
訪問量：1944

產品咨詢聯系我們

產品分類

Product Category

光衰減器系列

EVOA SFP VOA 多通道衰減器模塊高速光衰減器臺式可調光衰減器手持式光衰減器 MEMS光衰減器機械式光衰減器

查看全部

詳細介紹

品牌	梓冠	價格區間	1-500
組件類別	光學元件	應用領域	化工,能源,電子/電池,電氣,綜合
波長	1260~1650nm

高速可調陣列光衰減器

簡介

具備支持暗光（Dark）型能力，功耗更低、切換速度更快等特性。硅基VOA陣列器件內部為全固態芯片，具有百納秒級的響應速度，八通道單片集成，功耗低，滿足光傳輸、光傳感系統對光衰減器高速響應、小型化、高可靠的需求。其響應速度比傳統VOA提升4個數量級，達到100ns級，使WDM光網絡中光功率快速控制成為可能。此外，其超低的光損耗可滿足民用光網絡應用要求，集成度有助于大幅度減小模塊尺寸，純固態波導芯片使其具備可靠性。

特性應用

100ns級高速響應通道間光功率均衡或阻塞

多至48通道單片集成模擬信號調制

全固態波導芯片

超低光損耗

主要指標（典型值）

性能指標	單位	吸收型	備注
工作波長	nm	1525～1565
響應時間	ns	100-300
插入損耗	dB	1.2	光纖進到光纖出的損耗
衰減范圍	dB	25
偏振相關性	dB	≤0.3	@0dB衰減時
偏振相關性	dB	≤0.5	@0~25dB衰減時
功耗(@18dB衰減)	mW	150	隨衰減量增大而增大
電壓	V	1.2
電流	mA	0-35
集成度	/	6CH/48CH

高速納秒光衰減器VOA

產品咨詢

留言框

產品：
您的單位：
您的姓名：
聯系電話：
常用郵箱：
省份：
詳細地址：
補充說明：
驗證碼：

請輸入計算結果（填寫阿拉伯數字），如：三加四=7

上一篇：ZG-VOA-NS高速納秒光衰減器
下一篇：ZG-ODL-33-S9-1手動延遲線

高速納秒光衰減器VOA

高速可調陣列光衰減器

留言框

產品：

您的單位：

您的姓名：

聯系電話：

常用郵箱：

省份：

詳細地址：

補充說明：

驗證碼：